Q. HARC 식각 공정

답변 6

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  합격 메이트삼성전자

  코부사장 ∙ 채택률 79% ∙

  회사

  일치

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  채택된 답변

  멘티님. 안녕하세요. ​HARC 식각 공정에서는 높은 직선성과 강한 이온 에너지가 요구되므로 일반적으로 CCP 설비가 ICP 설비에 비해 유리합니다. CCP는 양 전극 사이에 전압을 가해 높은 바이어스 전압을 유도할 수 있어 이온의 직진성을 확보하고 깊은 홀 구조를 제어하는 데 효과적입니다. ​반면 ICP는 플라즈마 밀도를 높이기에 유리하지만 상대적으로 이온 에너지 조절이 어려워 수직 직진성이 중요한 고횡경비 식각에는 한계가 존재합니다. 최근 초고단 NAND 식각 등에서는 CCP 설비를 기반으로 고주파수 및 저주파수를 복합 적용하는 전력 제어 기술을 주로 활용합니다. 면접이나 전공 답변 시에는 CCP의 강점인 강력한 바이어스와 이온 직진성 확보 측면을 중심으로 정리하시면 좋은 평가를 받습니다. ​응원하겠습니다.

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  삼성전자-삼성전자

  코이사 ∙ 채택률 60% ∙

  회사

  일치

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  구조가 간단하고 비용/운영/유지보수에 유리하다는 장점이 있지만, 낮은 플라즈마 밀도로 인해 깊은 식각 이나 매우 방향성 있는 식각이 필요한 응용 분야에서는 단점이 될 수 있어 공정 정밀도 측면에선 불리함이 있습니다. 최근에는 다중 주파수 ccp나 펄스 플라즈마 기술을 적용하여 종횡비와 선택도를 개선하는 방향으로 발전하고 있습니다.

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• 흰

  흰수염치킨삼성전자

  코전무 ∙ 채택률 57% ∙

  회사

  일치

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  안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다. 일반적으로는 그런걸로 알고 있어요 근데 실무에서 절대적인건 없어요! 상황에 따라 달라져요 도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^

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• P

  PRO액티브현대트랜시스

  코전무 ∙ 채택률 100%

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  네, 일반적으로 HARC(High Aspect Ratio Contact) 식각에서는 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 장비가 유리한 경우가 많습니다. 다만 "무조건 CCP가 우위"라고 말하기보다는 공정 목적에 따라 달라진다고 이해하는 것이 정확합니다. HARC 식각은 매우 높은 종횡비의 Contact Hole을 깊고 수직으로 식각해야 하기 때문에 높은 이온 에너지와 우수한 방향성이 중요합니다. CCP는 웨이퍼에 인가되는 RF Bias를 크게 줄 수 있어 이온이 수직으로 입사하기 쉽고, Anisotropic Etch 특성을 확보하기 유리합니다. 또한 Polymer 형성과 제거의 균형을 맞추면서 Deep Contact Etch를 구현하기에 적합한 특성이 있습니다. 반면 ICP(Inductively Coupled Plasma)는 높은 플라즈마 밀도를 얻기 쉬워 식각 속도와 Radical 공급에는 유리하지만, 경우에 따라서는 이온 에너지 제어가 CCP만큼 직관적이지 않을 수 있습니다. 그래서 고종횡비 Contact에서는 CCP 기반 장비가 많이 사용되어 왔습니다. 다만 최근에는 이 구분이 예전만큼 명확하지 않습니다. 실제 양산 장비는 ICP Source와 RF Bias를 함께 사용하는 Dual RF 구조가 대부분이며, Lam Research나 TEL의 최신 HARC 장비도 높은 플라즈마 밀도와 이온 에너지를 동시에 제어할 수 있도록 설계되어 있습니다. 즉, 순수 CCP와 순수 ICP를 비교하기보다는 장비 구조와 공정 최적화 능력이 더 중요해졌습니다.

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  채택스포스코

  코전무 ∙ 채택률 77%

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  안녕하세요. 멘티님. 반갑습니다. HARC 식각에서는 기본적으로 CCP 설비가 많이 쓰이는 편이 맞습니다. 고종횡비 구조에서는 이온 에너지를 비교적 안정적으로 가져가면서 수직성을 확보하는 것이 중요해서요. 그래서 공정 조건을 잘 잡으면 CCP가 유리하게 작동하는 경우가 많습니다. 다만 무조건 CCP가 정답이라고 보시면 안 되고 식각 깊이와 선택비와 프로파일 요구사항에 따라 달라집니다. 특히 미세 패턴에서는 플라즈마 밀도와 균일도도 같이 봐야 해서 장비 특성과 레시피 최적화가 같이 따라가야 합니다. 실무에서는 CCP가 기본 축이 되더라도 혼합 구조나 보조 장치로 성능을 보완하는 경우가 적지 않습니다. 결국 HARC에서는 장비 종류보다도 이온 각도 제어와 폴리머 균형과 챔버 안정성이 더 중요하게 작용합니다. 그래서 지원하실 때는 CCP가 왜 유리한지와 동시에 어떤 조건에서 한계가 생기는지까지 함께 정리해보시구요. 그러면 답변이 훨씬 탄탄해집니다. 모쪼록 도움이 되셨다면 채택부탁드립니다. 감사합니다.

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• 메

  메에모리삼성전자

  코상무 ∙ 채택률 48% ∙

  회사

  일치

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  상황마다 다른 때가 많아 한마디로 말씀드리기가 어렵습니다.

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